Si4501BDY-T1-GE3 datasheet
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>> Si4501BDY-T1-GE3 MOSFET 30 Volts 12 Amps 4.5 Watts datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
Si4501BDY-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 30 Volts 12 Amps 4.5 Watts
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 30 Volts 12 Amps 4.5 Watts
Si4501BDY-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N and P-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V, - 8 V
闸/源击穿电压
20 V, 8 V
漏极连续电流
12 A, - 8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.0135 Ohms, 0.021 Ohms
配置
Dual
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
Si4501BDY-T1-GE3
SI4501DY
SI4501DY/ADY-T1-E3
SI4501DY-E3
SI4501DY-T1
SI4501DY-T1-E3
供应商
公司名
电话
深圳市硅宇电子有限公司
13424293654
唐先生
深圳市亚泰盈科电子有限公司
15338868823
郑小姐
深圳市亿联芯电子科技有限公司
18138401919
吴经理
深圳市科思奇电子科技有限公司
0755-83245050
林小姐/欧阳先生
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
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18138401919
吴经理
深圳市华芯源电子有限公司
15019275130
张小姐
深圳市宏浩通电子科技有限公司
13823141664
王利娟
深圳市瑞智芯科技有限公司
0755-83089975
李先生
Si4501BDY-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
0.662
0.662
10
0.634
6.34
50
0.47
23.5
100
0.4
40
2,500
0.332
830
10,000
0
0
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